标签： HBM

SK海力士展出16层HBM3E芯片，计划明年初供应样品

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TrendForce：三大内存原厂将于 20 层堆叠 HBM5 全面应用混合键合工艺

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三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E

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三星电子：客户可自行设计 HBM 内存基础裸片并自由选择代工方

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SK 海力士：HBM 内存基础裸片支持定制，SSD 主控也将导入芯粒技术

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SK 海力士副总裁：存储产品控制器 2~3 年后将导入 Chiplet 技术

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SK 海力士：美股七大科技巨头均表达定制 HBM 内存意向

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SK 海力士已向谷歌 Waymo 独家供应车规级 HBM2E 内存

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NEO Semiconductor 发布 HBM 内存技术 3D X-AI ，宣称 AI 处理能力可达现有方案百倍

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