8 月 27 日消息，综合韩媒 The Elec 和 ZDNet Korea 报道，SK 海力士副总裁（也称常务）文起一韩国当地时间昨日在学术会议上称，Chiplet 芯粒 / 小芯片技术将在 2~3 年后应用于 DRAM 和 NAND 产品。

并非所有存储产品控制器功能都需要使用先进工艺，采用 Chiplet 设计可将对工艺要求较低的功能模块剥离到成本更低的成熟制程芯粒上，在不影响功能实现的同时大幅降低成本。

SK 海力士正在内部开发 Chiplet 技术，该企业不仅加入了 UCIe 产业联盟，也已于 2023 年在全球范围内申请注册了用于 Chiplet 技术的 MOSAIC 商标。

▲ SK 海力士 HBM3E 内存

文起一在本次会议上还表示，用于连接 HBM 内存各层裸片的新兴工艺混合键合目前面临诸多挑战，但该工艺仍将是未来方向。

混合键合对 CMP（注：化学机械抛光）加工步骤提出了更高精细度要求；此外封装加工引起的碎屑污染问题也对 HBM 内存的良率造成明显影响。