6月30日消息，当地时间周四，三星电子有限公司宣布，公司已经开始在其位于韩国的华城工厂大规模生产3纳米半导体芯片。

这意味着，三星电子是全球首家量产3纳米芯片的公司。

三星电子介绍到，三星3纳米芯片，与前几代使用FinFET的芯片不同，三星使用的GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构大大改善了功率效率。

三星公司在一份声明中说，与传统的5 纳米芯片相比，新开发的第一代3纳米工艺可以降低45%的功耗，性能提高23%，并减少16%的面积。

三星电子的竞争对手，台积电计划2022年下半年开始大规模生产3纳米芯片；英特尔计划2023年下半年开始大规模生产3纳米芯片。