6月29日消息，据BusinessKorea报道，三星电子将于6月30日开始批量生产基于全环绕栅极（GAA）技术的3纳米半导体。

如果消息属实的话，那么三星电子将抢先台积电和英特尔量产3纳米芯片。

台积电计划2022年下半年开始大规模生产3纳米芯片；英特尔计划2023年下半年开始大规模生产3纳米芯片。

3纳米芯片，到底有多强？

台积电曾称，预估每升级一代，同单位面积的晶体管数量相比上一代，都能成长1.7 ~1.8倍，以3纳米制程相较现有的5纳米制程芯片来说，芯片密度便提升了1.7倍，而预估芯片效能将可提升11%，但同等级效能下，能耗又可降低25 ~30%。