标签： NAND

支持 4800MT/s，JEDEC 推出 NAND 闪存接口互操作性标准 JESD230G

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消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构

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QLC 企业级固态硬盘销售旺盛，消息称 Solidigm 大连厂延续 FG NAND 闪存路线并追加设备投资

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消息指 SK 海力士加速 NAND 研发，400+ 层闪存明年末量产就绪

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Omdia：2027 年 QLC 市场规模将占整体 NAND 闪存 46.4%，为去年 3.6 倍

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美光：已基本完成 2025 年 HBM 内存供应谈判，相关订单价值数十亿美元

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