美光宣布，其第九代（注：276 层）3D TLC NAND 闪存量产出货。

美光表示其 G9 NAND 拥有业界最高的 3.6GB/s I/O 传输速率（即 3600MT/s 闪存接口速率），较 2400MT/s 的现有竞品高出 50%，能更好满足数据密集型工作负载对高吞吐量的需求。

同时美光的 G9 NAND 在写入带宽和读取带宽方面比市场上的其他解决方案分别高出 99% 和 88%，这一 NAND 颗粒层面的优势将为固态硬盘和嵌入式存储方案带来性能与能效的提升。

此外，与前代美光 NAND 闪存一样，美光 276 层 3D TLC 颗粒采用了 11.5mm × 13.5mm 的紧凑封装规格，可减少 28% 的 PCB 面积占用，为更多的设计方案创造了可能。

▲ 立体结构示意

美光技术与产品执行副总裁 Scott DeBoer 表示：

美光 G9 NAND 的出货证明了美光在工艺技术和设计创新方面的实力。

与目前市场上的竞争产品相比，美光 G9 NAND 的密度提升了至高 73%，从而实现了更紧凑、更高效的存储解决方案，使消费者和企业都能从中受益。

美光执行副总裁兼首席业务官 Sumit Sadana 表示：

美光已连续第三代在业界率先推出创新、领先的 NAND 技术。与竞争产品相比，集成美光 G9 NAND 的产品可提供明显优势的性能。

美光 G9 NAND 将成为存储创新的基础，为所有终端市场的客户带来价值。