11月26日消息，据The Elec报道，三星已成功大幅减少3D NAND闪存生产光刻工艺中光刻胶的使用量。

据消息人士透露，其已制定未来NAND的生产路线图，光刻胶使用量仅为此前的一半。

此前每层涂层使用了7到8cc的PR，但现在已经减少到4到4.5cc。

为了减少过程中使用的PR量，三星控制了其涂布机执行的旋转次数 （rpm）。它还调整了 PR涂层后的蚀刻条件。归根结底，减少PR的使用量对三星来说是一种节省成本的措施。

该公司在其3D NAND生产中使用了厚氟化氪 （KrF）PR。这是因为厚PR有利于添加层。

显而易见，一个100层的NAND有100层。一次形成一层的成本很高。使用厚PR使三星可以一次形成多个层，就像星星一样，从而提高了流程效率。但是厚的PR具有高粘度，这会导致涂层时的均匀性问题。

为了开发没有均匀性问题的厚PR，三星在2013年之前就一直在与东进半导体合作，2013 年其第1代3D NAND开始生产。

此后，Dongjin Semichem一直是三星KrF PR的独家供应商，三星也只为其合作伙伴采购材料。

涂覆在第7代NAND上时，PR的厚度为11微米；第14代为8微米（越厚越好）。东进提供的这种厚度在存储芯片行业是无与伦比的。

消息人士称，从三星的第9代3D NAND开始，由于旋转转速和蚀刻条件调整，这家科技巨头将仅使用比以前一半的PR量。

他们说，Dongjin Semichem对三星在节省成本方面的成功感到震惊。三星有望从这一成功中每年节省数百亿韩元。然而，这意味着这家芯片巨头现在将从其长期供应商那里采购更少的 PR。

据信，Dongjin Semichem每年从PR中获得2500亿韩元的收入，其中60%来自对三星的供应。Dongjin Semichem董事长Lee Boo-Sup最近要求其原材料供应商也采取强有力的成本节约措施。