5 月 30 日消息，综合台媒《工商时报》《经济日报》报道，南亚科技在昨日的年度股东常会上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 内存产品 16Gb DDR5 颗粒将于明年初进入试产阶段。

南亚科技目前已在进行 1B nm 制程的 DRAM 试产，涵盖 8/4Gb DDR4 内存和 16Gb DDR5 内存。南亚科技表示其首批 DDR5 内存将在下半年少量试产，明年进一步提升产量。

此外南亚科技还在 1B nm 节点规划了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 内存、16Gb LPDDR4 内存和 4Gb DDR3 内存等产品。

南亚科技今年也将同步开发 TSV 技术，未来将结合 DDR5 内存颗粒和该技术，制造高容量的（3DS）DRAM 内存模组，满足服务器市场的需求。

南亚科技表示，其在每个制程世代都达到 30% 的位元提升速度，目前正同比利时 imec 微电子研究中心合作，为采用 EUV 光刻机的先进 DRAM 制程做准备。

南亚科技 4 月实现 32.06 亿元新台币（当前约 7.18 亿元人民币）合并营收，同比大增 41.88%。