标签： DRAM

TrendForce：消费性需求疲弱，2023 年 DRAM 内存模组厂营收同比下降 28%

消息称三星下代 400+ 层 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 结构

消息称三星本月成功研制首批 1c nm DRAM 良品晶粒，未来将用于 HBM4 内存

消息称三星 14nm 级 DRAM 拖累 HBM3E 内存认证进度，内部正考虑调整设计

三星电子计划 2027 年推出 0a nm DDR 内存，2026 年推出 HBM4E

南亚科技预计全年内存位元出货量同比增幅超两成，正规划 EUV 工艺

消息称三星 1b nm 移动内存良率欠佳，影响 Galaxy S25 系列手机开发

消息称三星电子、SK 海力士堆叠式移动内存 2026 年后商业化

SK 海力士确认 1c nm 工艺将用于 HBM、LPDDR6、GDDR7 等 DRAM 内存产品

消息称 SK 海力士五层堆叠 3D DRAM 内存良率已达 56.1%