三星高管于 2023 年 6 月预测，V-NAND 在 2030 年将叠加到 1000 层以上，而最新消息称铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）将成为这项成就的关键。

三星高管 Giwuk Kim 将于今年 6 月发表技术演讲，课题为“在推动 1000 层低电压和 QLC 3D VNAND 进程中，深入分析 Hafnia 铁电的关键推动因素，以及实验演示和建模”。

在摘要部分中写到，在金属带工程栅极中间层（BE-G.IL）、铁电（FE）开关、沟道中间层（Ch.IL）和硅（MIFIS） FeFET 架构中，使用 FE 开关相互作用，来显著提高性能，表明 hafnia FE 成为扩展 3D VNAND 技术发展的关键推动力。

此前报道，三星计划明年推出第 10 代 NAND 芯片，采用三重堆叠技术，达到 430 层，进一步提高 NAND 的密度，并巩固和扩大其领先优势。