5 月 6 日消息，据韩媒 The Elec 和《首尔经济新闻》报道，SK 海力士在 5 月 2 日举行的“AI 时代，SK 海力士蓝图和战略”记者招待会上表示，其 HBM4 内存的量产时间已提前到 2025 年。

具体来说，SK 海力士计划在 2025 年下半年推出采用 12 层 DRAM 堆叠的首批 HBM4 产品，而 16 层堆叠 HBM 稍晚于 2026 年推出。

SK 海力士上月同台积电达成 HBM 基础裸片（Base Die）合作谅解备忘录，当时定于 2026 年推出 HBM4 内存。

HBM4 量产的加速无疑显示了 AI 领域巨头对高性能内存的强劲需求，日益强大的 AI 处理器需要更高内存带宽的辅助。

The Elec 预计，SK 海力士将在 HBM4 内存中采用 1cnm 制程的新一代 DRAM 内存芯片，目前的 HBM3E 产品基于 1bnm；而在基础裸片部分，未来产品有望使用台积电 7nm 系工艺。

SK 海力士在记者会上还表示目前基于 MR-MUF 键合的 12 层堆叠 HBM3E 内存将于本月出样三季度量产，未来 16 层堆叠产品也将采用 MR-RUF。