1月15日消息，据韩媒报道，韩国芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，对其中国半导体工厂进行技术提升改造。

业内人士透露，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分DRAM生产设备提升至第四代10纳米工艺。

不过，对于“无锡工厂将进行技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。

据了解，无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。