4月18日消息，台积电在近期传出在3nm工艺开发上取得突破，且将计划在下半年量产3nm工艺芯片。此外，其2nm工艺芯片最早将会在2025年投产。

在台积电4月14日第一季度的电话会议上，台积电CEO魏哲家称，台积电的2nm工艺正在研发中，有信心在2nm工艺依旧保持技术领先地位，该工艺将会在2024年开始预生产，与于2025年正式投产。

据悉，台积电将会在2nm工艺上采用GAA FET(全环绕栅极晶体管)，取代finFET (鳍式场效应晶体管)。

三星为了与其竞争，目前已经在3nm工艺就用上GAA技术。而台积电为了提供给客户最成熟的技术、最好的效能及最佳的成本，保守的选择finFET技术生产3nm工艺芯片。