4月13日消息，经历多次波折的台积电3纳米制程在近期获得重大突破。

据报道，台积电决定在今年率先量产第二版3纳米制程“N3B”，将于今年8月在新竹十二厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片，正式以鳍式场效晶体管（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。

据了解，台积电的3nm有多个版本，至少包括N3、N3E、N3B。除了8月份要量产的N3B版，2023年还会有增强版的N3E工艺量产。

N3E工艺将使用更少的EUV光刻层，从25层缩减到21层，投产难度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶体管密度会比N3版本低大约8％，相比N5仍然会高60％。

此外，因3nm工艺要到下半年才量产，导致苹果手机新一代处理器今年仍采用5纳米加强版N4P。