7月3日消息，日前，台积电副总经理张晓强透露，2nm制程工艺N2研发顺利，能够按照之前的预定的目标2025年量产。

张晓强还透露了2nm工艺的良率情况，目前256Mb SRAM芯片已经可以做到50%良率以上，目标则80%以上。

据了解，台积电2nm工艺会放弃FinFET晶体管工艺，转向GAA晶体管，相较于N3E工艺，N2在相同功耗下速度增快10%-15%，或在相同速度下功耗降低25%-30%，不过晶体管密度提升就只有10-20%了。

不过技术先进的代价就是2nm代工价格越来越贵，在3nm涨价到2万美元的基础上，2nm代工一片晶圆的价格是2.5万美元，超过18万元人民币。

好在2nm近期就会在竹科基地建立小量试产生产线，目标今年试产近千片。

试产顺利的话，台积电2nm将导入后续建设完成的竹科宝山晶圆20厂，由该厂团队接力冲刺2024年风险试产与2025年量产目标。