1月10日消息，台积电于12月29日在台南科学园区举办3nm量产暨扩厂典礼，正式宣布启动3nm大规模生产。虽然三星早在半年前就已经开启了 N3（3nm）工艺芯片制造，但由于刚刚采用GAA的原因似乎生产良率有严重下滑。

当然，三星也没有坐以待毙，此前业界称其已经联合IBM、Silicon Frontline Technology等公司合作提高3nm成品率，希望为自家手机争取到部分高通骁龙8 Gen3的订单。

根据台积电自己的说法来看，其3nm和5nm问世之初的良率基本一致。对比之下，三星3nm GAA刚投产时，良率仅有可怜的20%，废片率高得离谱。不过最近还有消息称，三星3nm良率已经大幅提高，目前已经“接近完美”。

据韩国每日经济新闻报道，三星一位高管在受访时表示，相比于此前受困的良率问题，三星第一代的3nm制程良率已接近完美，第二代3nm芯片技术也迅速展开。此外，此前传闻的中90%的台积电3nm良率过于夸张，实际可能在50%以上。

此前报道，台积电已经在去年年底踩点开始3nm FinFET 芯片量产。Business Next发表的一份报告称，根据专门从事半导体研究的专家描述，台积电当时 3nm工艺的成率估计约为60-70%，在某些情况下可以超过70%。

韩媒报道进一步指出，在三星与台积电都进入3nm制程的时代之后，未来3nm制程将会成为晶圆代工市场的主流。因此，预计到2025年之际，3nm制程市场的产值将会高达255亿美元，超越当时5nm制程预估的193亿美元产值。

根据市场调查单位Trend Force的调查数据显示，2022年第三季，在全球晶圆代工市场中，台积电仍以53.4%市场份额稳居第一，排名第二的三星市场份额仅16.4%。所以，在市场烈竞争下，也使得3nm制程将成为未来两家公司主要竞争的关键。