8月29日消息，SK海力士宣布，成功开发出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的DDR5 DRAM芯片。

这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5，其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。

与前一代产品相比，1c DDR5 DRAM的运行速度达到了8Gbps，速度提升了11%，同时能效也提高了9%以上。

SK海力士表示，这款芯片的推出，将有助于数据中心在人工智能迅速发展的当下，最高减少达30%的电力成本

SK海力士的1c工艺技术是在第五代（1β）技术的基础上，通过提高设计完成度和优化工艺流程实现的。

在1c工艺中，SK海力士还引入了新材料，并针对极紫外（EUV）工艺进行了优化，使得生产率较前一代1b工艺提高了30%以上。

DRAM开发部门负责人Kim Jonghwan表示，1c工艺技术不仅具备最高性能，还具有成本竞争力，公司计划将其应用于新一代的HBM、LPDDR6、GDDR7等M产品，为客户提供差异化的价值。

SK海力士计划在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，并从明年开始供应产品，预计将进一步巩固其在半导体存储器市场的领导地位。