7月23日消息，据TheElec报道，与3nm工艺相比，三星2nm工艺节点的EUV层数将增加30%。

消息人士称，目前该公司3nm工艺节点有20个EUV层。三星的1.4nm计划于2017年开始生产，预计将有30多个EUV层。

三星于2018年首次开始在其7nm逻辑工艺节点上应用EUV。从那时起，随着每次迁移到5nm，再到3nm，三星在芯片生产过程中增加了EUV层的数量或EUV工艺步骤的数量。

芯片代工厂正在竞相从ASML购买更多的EUV机器，以用于其先进节点。据报道，市场领导者台积电计划在明年之前订购65台EUV。

与此同时，三星也将EUV应用于其DRAM生产。三星为其第6 代10nm DRAM应用了多达7个EUV层，而SK海力士则应用了5个。

随着越来越多的芯片制造商扩大其EUV工艺步骤，光刻胶、空白掩模和薄膜等相关行业也有望增长。