3 月 6 日消息，固态技术协会 JEDEC 今日正式发布 JESD239 GDDR7 显存标准（Graphics Double Data Rate），JESD239 GDDR7 提供的带宽是 GDDR6 的两倍，每台设备最高可达 192 GB/s。

据介绍，JESD239 GDDR7 是第一个使用脉幅调制（Pulse Amplitude Modulation，PAM）接口进行高频操作的 JEDEC 标准 DRAM。其 PAM3 接口提高了高频操作的信噪比（SNR），同时提高了能源效率。通过使用 3 个级别（+1，0，-1）在 2 个循环上传输 3 个比特，而传统的 NRZ（不归零）接口在 2 个周期上传输 2 个比特，PAM3 提供了更高的每循环数据传输速率，从而提高了性能。

JESD239 GDDR7 的其他高级功能包括：

• 具有眼图掩蔽和错误计数器的核心独立 LFSR（线性反馈移位寄存器）训练模式，可提高训练准确性，同时减少训练时间。

• 独立通道数量翻倍，从 GDDR6 中的 2 个增加到 GDDR7 中的 4 个。

• 支持 16 Gbit 至 32 Gbit 密度，包括支持 2 通道模式以使系统容量加倍。

• 通过整合最新的数据完整性功能，包括带实时报告的片上 ECC（ODECC）、数据中毒、错误检查和清理以及带命令阻塞的命令地址奇偶校验（CAPARBLK），满足 RAS（可靠性、可用性、可维护性）的市场需求。

JEDEC 董事会主席 Mian Quddus 表示：“JESD239 GDDR7 标志着高速显存设计的重大进步。随着向 PAM3 信号的转变，显存行业有了一条新的途径来扩展 GDDR 设备的性能，并推动图形和各种高性能应用的不断发展。”

JEDEC GDDR 小组委员会主席 Michael Litt 说道：“GDDR7 是首款不仅专注于带宽，而且通过整合最新数据完整性功能来满足 RAS 市场需求的 GDDR，这些功能使 GDDR 设备能够更好地服务云游戏和计算等现有市场，并扩展到 AI。”

从公告中获悉，AMD、美光、英伟达、三星、SK 海力士都对该标准表示了支持。此外，三星和美光都已经制定了下一代 GDDR7 模块的开发计划。三星的目标是 32 Gbps 速度，实现 1.6 倍的性能提升；而美光的目标也是 24 Gb+ 32 Gbps 芯片。美光在最新的路线图中还表示，到 2026 年，将推出高达 36 Gbps 和 24Gb+ 的显存芯片。