2月27日消息，今日，三星电子在官网宣布，其开发出业界首款36GB HBM3E 12H DRAM。

据介绍，HBM3E 12H带宽高达1280GB/s，容量达36GB。与前代8层堆叠的HBM3 8H相比，其在带宽和容量上提升超过50%。

HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致，以满足当前HBM封装的要求。该技术还将在高层数堆叠方面带来更多益处，因为业界正在努力减少芯片变薄带来的翘曲问题。

三星还在不断努力降低其非导电薄膜（NCF）材料的厚度，并实现业界最小的7微米的芯片间隙，同时消除了层与层之间的空隙，使其HBM3E 12H产品的垂直密度比HBM3 8H提高了20%以上。

三星表示，HBM3E 12H有望成为未来最佳解决方案，并降低数据中心总成本（TCO）。与HBM3 8H相比，人工智能训练平均速度可提高34%，推理服务用户数量也可增加11.5倍以上。

三星电子已开始向客户提供HBM3E 12H样品，并计划于今年上半年开始量产。