2月4日消息，据媒体报道，SK海力士表示，生成式AI市场预计将以每年35%的速度增长，而SK海力士有望在2026年大规模生产下一代HBM4。

据了解，HBM类产品前后经过了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的开发，其中HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本，而HBM4将是第六代产品。

HBM4堆栈将改变自2015年以来1024位接口的设计，采用2048位接口，而位宽翻倍也是是HBM内存技术推出后最大的变化。

目前单个HBM3E堆栈的数据传输速率为9.6GT/s，理论峰值带宽为1.2TB/s，而由六个堆栈组成的内存子系统的带宽则高达7.2TB/s。

出于可靠性和功耗方面的考虑，一般速度不会达到最高的理论带宽，像H200的峰值带宽为4.8TB/s。

此外，HBM4在堆栈的层数上也有所变化，除了首批的12层垂直堆叠，预计2027年存储器厂商还会带来16层垂直堆叠。