此前，台积电公布2nm工艺进展顺利，近日在IEEE国际电子元件会议上，台积电还表示已经全面展开1.4nm级工艺制程研发，预计将于2027-2028年之间量产。

具体上，台积电1.4nm工艺命名为A14，还未确认是否采用High-NA EUV光刻技术，另外可能采用台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术。

台积电还表示，在3nm制程工艺量产后就开始研发2nm制程工艺，计划在2025年正式量产2nm工艺，N2P制程工艺也将在2026年年底量产。