11 月 10 日消息，美光公司近日发布了显存（VRAM）路线图，涵盖 GDDR7 和 HBM4E 内存技术。

美光目前推出的 GDDR6X 显存最高运行带宽为 24Gbps，容量为 16Gb dies，速度为 96GB/sec。

根据美光的路线图，2024 年 GDDR7 显存运行带宽为 32Gbps，容量为 16-24Gb die，速度为 128GB/sec；此外 2026 年会推出更快的 GDDR7 显存，带宽为 36Gbps，容量采用超过 24Gb die，速度为 144GB/sec。

英伟达的下一代 GeForce RTX 50 系列有望使用美光的 GDDR7 显存，采用 32Gbps 带宽；下一代 GeForce RTX 5090 显卡应该有一个 512 位内存总线，由于 GDDR7 内存速度更快，内存带宽高达 1.5TB / 秒。

美光还将在 2024 年推出 8 层堆叠的 AI 和数据中心专用 HBM3E 内存；将于 2024 年底到 2025 年年初推出 12 层堆叠的 HBM3E 。

HBM3E 将提供高达 24GB 的容量和超过 1.2TB / 秒的内存带宽，而较新的 12 层 HBM3E 内存带宽同样为 1.2TB / 秒，不过容量扩展到 36GB。

之后，美光将在 12-High 和 16-High 堆栈上拥有下一代 HBM4 内存，这些内存将达到 36GB 到 48GB 的更高容量，到 2025 年底将超过 1.5TB / 秒的内存带宽。

到 2027 年，HBM4E 将在 12-High 和 16-High 堆栈中推出 48GB 至 64GB 容量，内存带宽超过 2TB / 秒。