美光 HBM3 Gen 2 内存现已向客户出样,带宽可达 1.2 TB / s

IT之家消息,据 Tom’s Hardware 报道,美光宣布其 HBM3 Gen 2 内存正在向…

IT之家消息,据 Tom’s Hardware 报道,美光宣布其 HBM3 Gen 2 内存正在向客户提供样品。

美光称其 HBM3 Gen 2 内存是世界上速度最快的,具有 1.2 TB / s 的聚合带宽,8 高堆叠容量为 24GB。未来还有 12 高堆叠版本,容量可达 36GB。美光称其新内存是最节能的,与该公司上一代 HBM2E 相比,每瓦性能是上代的 2.5 倍。

据报道,美光是第一个提供第二代 HBM3 内存样品的公司,超过了 SK 海力士和三星等竞争对手。

命名方面,美光的 HMB3 Gen 2 内存没有按照美光之前的命名约定命名为“HBM3E”。美光表示,新的“Gen2”命名代表性能、容量和能效方面的代际飞跃。

美光公布了最新的内存路线图,图中标注了“HBMNext”内存,推出的时间点为 2026 年左右,容量可达 36-64GB,可提供 2+ TB / s 带宽。

据介绍,美光的全新 HBM3 Gen 2 内存采用八个堆叠芯片(8 高),与其他 8 高 HBM3 内存相比,容量增加了 50%。此外,美光的新型内存也适用于与标准 HBM3 相同的 11mmx11mm 封装,与现有 HBM3 引脚兼容,更换内存也相对容易。

美光 HBM3 Gen 2 内存 8 高堆栈的带宽提高了 50%,每个引脚的传输速度为 9.2 Gbps,1024bit 位宽即可达到 1.2 TB / s 的带宽。

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