8月18日消息，据韩媒报道，当前全球最大的存储芯片制造商三星电子，计划在本月新设立一个研发中心，负责研发更先进的NAND闪存。

报道称，三星电子将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，还将在本月设立新的研发中心，负责研发更先进的NAND闪存产品。

报道提到，SK海力士已宣布研发出了238层NAND闪存，预计明年上半年大规模量产；美光科技也已完成了232层NAND闪存的研发。未来要想在NAND闪存市场占有优势，势必就需要不断研发更先进的产品。

从研究机构的数据来看，三星电子目前在NAND闪存市场的份额，远高于其他厂商，就今年一季度而言，三星电子的份额高达35.3%，第二大厂商铠侠的份额为18.9%，SK海力士的份额为18%。