10 月 8 日消息，参考此前报道，新存科技 9 月 23 日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型 3D 存储器芯片 NM101。该新品采用先进工艺制程结合三维堆叠技术，单芯片容量达 64Gb。

新存科技官网现在公布了 NM101 芯片的参数情况：

可以看到 NM101 采用 SLC 存储单元类型，最高 IO 速度（I/O 接口速率）3200MT/s，总线位宽为 ×8，IO 为 1.2V，支持 0℃~+70℃ 运行温度。

新存科技表示 NM101 基于新型材料电阻变化原理，支持随机读写，相比同类产品读写速度均可提升 10 倍以上、寿命也可增加 5 倍，可搭配业界合作伙伴的控制芯片，应用于企业级或消费级高性能存储产品的开发。

另据《湖北日报》报道，新存科技的 NM101 芯片属于相变存储器（PCM，Phase Change Memory），这点与英特尔、美光合作开发的 3D XPoint 相似：

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