12月14日消息,据台湾《经济日报》报道,日前,台积电在IEEE国际电子元件会议上透露,其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开。预计将于2027-2028年之间量产,且将命名为A14。
在技术方面,报道称A14节点不太可能会采用垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)技术。
同时,台积电重申2nm将会在2025年开始量产,成为台积电新量产制程。
据英国金融时报此前报道,台积电已向苹果、英伟达等大客户展示了N2(2nm)工艺芯片原型。
12月14日消息,据台湾《经济日报》报道,日前,台积电在IEEE国际电子元件会议上透露,其1.4nm级工艺制程…
12月14日消息,据台湾《经济日报》报道,日前,台积电在IEEE国际电子元件会议上透露,其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开。预计将于2027-2028年之间量产,且将命名为A14。
在技术方面,报道称A14节点不太可能会采用垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)技术。
同时,台积电重申2nm将会在2025年开始量产,成为台积电新量产制程。
据英国金融时报此前报道,台积电已向苹果、英伟达等大客户展示了N2(2nm)工艺芯片原型。