10 月 20 日消息，三星主办的 2023 年欧洲三星代工论坛（SFF）上，展示了从先进 2nm 工艺到传统 8 英寸工艺在内的诸多代工解决方案，并展示了正在开发中的首款 5 纳米 eMRAM 车用存储。

eMRAM 是用于汽车应用的下一代存储半导体，可实现高读写速度以及卓越的耐热性。

三星于 2019 年开发并量产业界首款基于 28nm FD-SOI 的 eMRAM 以来，一直在开发基于 AEC-Q100 Grade 1 的 FinFET 工艺的 14nm 工艺。

三星电子公布了路线图，计划在 2024 年量产 14nm 工艺 eMRAM，并计划在 2026 年量产 8nm、2027 年量产 5nm。与 14 纳米工艺相比，三星 8 纳米 eMRAM 具有将密度提高 30%、速度提高 33% 的潜力。

三星表示通过采用深沟槽隔离 (DTI) 技术，缩小每个晶体管之间的距离，最大限度地发挥功率半导体的性能。

三星代工厂将使用 120V（当前为 70V）的更大电压应用于更广泛的应用，并准备好在 2025 年之前提供实现 120V 至 130nm BCD 工艺的工艺开发套件 (PDK)。